COMUNICADO: Molecular Imprints recibe un pedido para la compra de múltiples unidades

-- Molecular Imprints recibe un pedido para la compra de múltiples unidades a fin de proporcionar equipamiento de litografía avanzado para la fabricación de semiconductores de alto volumen-- Seguimiento de Molecular Imprints Jet and Flash™ Imprint Lithography (J-FIL™) para la producción de memorias de semiconductores en 2014AUSTIN, Texas, 24 de septiembre de 2012 /PRNewswire/ -- Molecular Imprints, Inc. (MII), líder de mercado y tecnología para sistemas y soluciones de nanopatrón [http://www.molecularimprints.com/], ha anunciado hoy la recepción de un pedido de compra para múltiples módulos de impresión [http://www.molecularimprints.com/] que se integrarán en los sistemas de stepper semiconductores de equipamiento de la compañía. Estos módulos incluyen la última tecnología propia MII Jet and Flash™ Imprint Lithography [http://www.molecularimprints.com/] (J-FIL™), que despliega el rendimiento necesario para la fabricación en volúmenes elevados de dispositivos avanzados de memoria para semiconductores.(Logo: http://photos.prnewswire.com/prnh/20100504/MILOGO [http://photos.prnewswire.com/prnh/20100504/MILOGO] )"Esta adquisición de múltiples módulos representa un voto de confianza desde nuestros clientes en relación a que J-FIL está en las fases finales de la preparación de fabricación", indicó Mark Melliar-Smith, director general y consejero delegado de Molecular Imprints. "Nuestros socios de equipamiento y mascarillas comerciales y equipos internos han coordinado con éxito sus actividades de desarrollo, consiguiendo un progreso enorme el año pasado sobre todo dentro de las áreas de defectibilidad y coste de propiedad [http://www.molecularimprints.com/] (CoO) general. Esperamos de forma impaciente la próxima fase de comercialización de nuestra tecnología J-FIL y permitir el mapa de ruta de dispositivos de memoria de semiconductores para los años venideros".La tecnología J-FIL™ de la compañía ha demostrado un diseño demostrado de 24nm con una robustez del marco linear excepcional (