Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha presentado un MOSFET de resistencia activa baja, TPN2R503NC, fabricado con el último proceso de 8ª generación, para su uso en circuitos de protección de baterías litio-iones e interruptores de gestión de energía para teléfonos móviles. TPN4R203NC y TPN6R303NC se han incorporado a la gama como sucesores de los modelos existentes. Los tres productos pueden contribuir a reducir el espesor del dispositivo y el tamaño total, así como a mejorar la eficiencia.
- Business Wire
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