Investigadores proponen nueva forma de escribir los bits de memoria digital

Barcelona, 9 may.- Un equipo del Centro de Investigación en Nanociencia y Nanotecnologia (CIN2) de Barcelona, en colaboración con la Universitat Politècnica de Catalunya y las Universidades de Nebraska y Wisconsin, ha hallado una nueva forma de escribir bits de memoria digital, avance que ha sido publicado en la revista Science.

Según ha informado hoy este centro, una parte muy activa de la física moderna se dedica a la investigación de nuevas formas de almacenar memoria de forma más eficiente.

La más popular consiste en almacenar los bits (series binarias de unos y ceros) en forma de minúsculos imanes, de forma que, según el polo norte apunte hacia arriba o hacia abajo, se lee como un uno o un cero. Al aplicar un pequeño campo magnético, se reorientan los nanoimanes para "escribir" los bits.

Gustau Català, responsable del grupo de investigación en nanoelectrónica del CIN2, ha señalado que "existen alternativas" a este sistema, "ya que prácticamente cualquier material que pueda estar en dos estados diferentes y que se pueda cambiar de un estado a otro sirve para almacenar memoria".

Uno de estos materiales son los denominados "ferroeléctricos", que, al igual que los imanes, también tienen un polo norte y un polo sur.

En este caso, los polos no son magnéticos sino eléctricos, lo que significa que se pueden escribir directamente con un simple voltaje como el generado por una pila, una posibilidad no exenta de problemas, porque se pueden producir pequeños cortocircuitos o calentamientos del material.

No obstante, según la investigación del CIN2, sería posible escribir los bits ferroeléctricos sin aplicar el voltaje.

Gustau Català ha asegurado, en este sentido, que han "descubierto que se puede invertir la orientación de un dipolo ferroeléctrico simplemente aplicando una punta muy afilada", de unas 10 millonésimas de milímetro, creando una deformación en un área muy pequeña que genera polarización gracias al mecanismo denominado flexoelectricidad.

Aunque aún está por demostrar que pueda llegar a ser competitivo, este mecanismo convierte la presión mecánica en información permanente, ya que la flexoelectricidad replica, a escala nanoscópica, el funcionamiento de una máquina de escribir, ha ejemplificado el investigador. EFE.